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分离式半导体 - MOSFET - 单 - EPC - EPC1010 - TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC1010|EPC
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EPC1010
制造商型号: EPC1010
制造商: EPC
描述: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
应用说明 : Second Generation eGaN® FETs
Thermal Performance of eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
产品培训模块 : eGaN™ Basics
eGaN™ Power Transistors Characteristics
Drivng eGaN™ Power Transistors
eGaN FETs for DC-DC Conversion
eGaN FET Reliability
标准包装 : 1
系列 : eGaN™
FET 型 : GaNFET N 通道,氮化镓
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 25 毫欧 @ 6A, 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.5V @ 1.2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 7.5nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 440pF @ 100V
功率 - 最大 : -
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 7-SMD,凸引线
供应商设备封装 : 7-LGA (3.6x1.6)
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: EPC1010
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