PDF查询| 应用说明 ： | Second Generation eGaN® FETs Thermal Performance of eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
| 产品培训模块 ： | eGaN™ Basics eGaN™ Power Transistors Characteristics Drivng eGaN™ Power Transistors eGaN FETs for DC-DC Conversion eGaN FET Reliability |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | eGaN™ |
| FET 型 ： | GaNFET N 通道，氮化镓 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 25 毫欧 @ 6A, 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 1.2mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 7.5nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 440pF @ 100V |
| 功率 - 最大 ： | - |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 7-SMD，凸引线 |
| 供应商设备封装 ： | 7-LGA (3.6x1.6) |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
