其它图纸 : | SOT-563 Package Top |
标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 900 毫欧 @ 430mA, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 530mA |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | - |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 175pF @ 16V |
功率 - 最大 : | 400mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | SOT-563 |
供应商设备封装 : | SOT-563 |
包装 : | 剪切带 (CT) |