| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 9.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 16 毫欧 @ 8.2A, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 42.6nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 2953pF @ 4V |
| 功率 - 最大 ： | 660mW |
| 安装类型 ： | * |
| 封装/外壳 ： | * |
| 供应商设备封装 ： | * |
| 包装 ： | * |
