PDF查询| 产品变化通告 ： | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 110 毫欧 @ 2.5A, 4.5V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 2A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | - |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 188pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 600mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 ： | SOT-23-3 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
