创唯电子
分离式半导体 - MOSFET - 单 - Diodes Inc - DMN2005LP4K-7 - MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
库存查询
您现在的位置: 首页 > 分离式半导体 > MOSFET - 单 > Diodes Inc - DMN2005LP4K-7 - MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存

50个仓库,1500万条库存数据任选
DMN2005LP4K-7|Diodes Inc
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DMN2005LP4K-7
制造商型号: DMN2005LP4K-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
其它图纸 : DFN1006H4-3 Side
DFN1006H4-3 Bottom
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 1.5 欧姆 @ 10mA, 4V
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 200mA
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 900mV @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : -
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 41pF @ 3V
功率 - 最大 : 200mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 3-XFDFN
供应商设备封装 : 3-DFN1006H4 (1.0x0.6)
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: DMN2005LP4K-7
旗下站点www.szcwdz.cn相关详细信息: DMN2005LP4K-7
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
免责条款隐私保护公司简介分类索引品牌索引产品展示产品目录联系我们网站地图
©2012-2022 版权所有:深圳市创唯电子有限公司  ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
电话:400-900-3095  QQ:800152669  邮箱:sales@szcwdz.com