PDF查询| 其它图纸 ： | DFN1310H4-6 Side DFN1310H4-6 Top DFN1310H4-6 Bottom |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 1.5 欧姆 @ 10mA, 4V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 200mA |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 900mV @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | - |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 350mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 6-SMD，无引线 |
| 供应商设备封装 ： | 6-DFN1310H4 (1.0x1.3) |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
