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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Diodes Inc - DMG8880LSS-13 - MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
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DMG8880LSS-13
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOP0
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DMG8880LSS-13
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOP0
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DMG8880LSS-13
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DMG8880LSS-13
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Diodes Incorporated Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SO T/R - Tape and Reel (Alt: DMG8880LSS-13)0
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Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET N-CHANNEL

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Diodes Incorporated - DMG8880LSS-13 - MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.6A(Ta) 1.43W(Ta) 8-SOP

型号:DMG8880LSS-13
仓库库存编号:DMG8880LSS-13DICT-ND
别名:DMG8880LSS-13DICT <br>
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DMG8880LSS-13|Diodes Inc
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DMG8880LSS-13
制造商型号: DMG8880LSS-13
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 10 毫欧 @ 11.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 11.6A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 27.6nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1289pF @ 15V
功率 - 最大 : 1.43W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SOP
包装 : 剪切带 (CT)

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