标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | N 和 P 沟道 |
FET 特点 : | 标准型 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 35 毫欧 @ 8mA, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 35V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 5.3A, 5A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 2.6nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 850pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 1.54W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-252-5, DPak (4 引线 + 接片), TO-252AD |
供应商设备封装 : | TO-252-4L |
包装 : | 剪切带 (CT) |