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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Diodes Inc - DMG3415UFY4-7 - MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
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DMG3415UFY4-7|Diodes Inc
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DMG3415UFY4-7
制造商型号: DMG3415UFY4-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
技术参考: PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 39 毫欧 @ 4A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss) : 16V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 2.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 281.9pF @ 10V
功率 - 最大 : 490mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 3-XFDFN
供应商设备封装 : DFN2015H4-3
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: DMG3415UFY4-7
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