标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | N 和 P 沟道 |
FET 特点 : | 标准型 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 1.7 欧姆 @ 500mA, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 480mA, 320mA |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | - |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 50pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 660mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | SOT-563 |
供应商设备封装 : | SOT-563 |
包装 : | 剪切带 (CT) |