标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | N 和 P 沟道 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 45 毫欧 @ 3A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 4.2A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1.8V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 37.56nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 1790.8pF @ 20V |
功率 - 最大 : | 1.25W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-SO |
包装 : | 剪切带 (CT) |