PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 28 毫欧 @ 6A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 5.4A, 4A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 12.9nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 604pF @ 20V |
| 功率 - 最大 ： | 1.25W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装 ： | SO-8 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
