PDF查询| 产品变化通告 ： | Encapsulate Change 15/May/2008 |
| 产品目录绘图 ： | SOT-23 Side SOT-23 Top DDTC, DDTD Series Circuit |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| 晶体管类型 ： | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） ： | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） ： | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） ： | 4.7K |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） ： | 10K |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) ： | 30 @ 10mA, 5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） ： | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） ： | - |
| 频率 - 转换 ： | 250MHz |
| 功率 - 最大 ： | 200mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 ： | SOT-23-3 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
