PDF查询| 产品变化通告 ： | Encapsulate Change 09/July/2007 |
| 产品目录绘图 ： | SOT-523 Side SOT-523 Top DDTC, DDTD Series Circuit |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| 晶体管类型 ： | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） ： | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） ： | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） ： | 1K |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） ： | 10K |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) ： | 33 @ 5mA, 5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） ： | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） ： | 500nA |
| 频率 - 转换 ： | 250MHz |
| 功率 - 最大 ： | 150mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | SOT-523 |
| 供应商设备封装 ： | SOT-523 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
