PDF查询| 产品培训模块 ： | NexFET MOSFET Technology |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | NexFET™ |
| FET 型 ： | 2 N 沟道（半桥） |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | - |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 5.8nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 900pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 6W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-LDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 ： | 8-SON-EP (3.3x3.3) |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
