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型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
CSD23201W10 库存编号:2156-CSD23201W10-ND	Rochester Electronics LLC	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	455050 1211起订	1211+	￥3.12	6-10天购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTEmUE49MjE1Ni1DU0QyMzIwMVcxMC1ORA=="],"cvcModel":["CSD23201W10"],"cvcBrand":[" Rochester Electronics LLC "],"cvcNumberAll":["1211,"],"cvcPriceAll":["3.12,"],"maxnum":["455050"],"minnum":["1211"],"mytime":["6-10天"],"haveiscanbuy":["yes"], 查看资料
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CSD23201W10 库存编号:296-24258-1-ND	Texas Instruments	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	0 1起订			6-10天询价	询价查看资料
CSD23201W10 库存编号:296-24258-2-ND	Texas Instruments	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	0 1起订			6-10天询价	询价查看资料

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型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
CSD23201W10	Texas Instruments	2200 MA, 12 V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET	8 1起订	1+	￥8.76	1-3周购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTI0JlBOPQ=="],"cvcModel":["CSD23201W10"],"cvcBrand":[" Texas Instruments "],"cvcNumberAll":["1,"],"cvcPriceAll":["8.76,"],"maxnum":["8"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],"haveiscanbuy":["yes"],

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Texas Instruments

MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs

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CSD23201W10
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Texas Instruments

Trans MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin WLCSP T/R (Alt: CSD23201W10)

RoHS: Compliant

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CSD23201W10 [更多]	Texas Instruments		搜索

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制造商

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CSD23201W10
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Texas Instruments

2200 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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CSD23201W10	Texas Instruments	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	查看库存、价格及货期

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	CSD23201W10 Texas Instruments	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	查价格库存查看详细
	CSD23201W10-BKN TI	Trans MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin WLCSP T/R 暂无PDF	查价格库存查看详细

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	CSD23201W10 Texas Instruments	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	查价格库存查看详细

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	Texas Instruments MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.2A（Tc） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）型号：CSD23201W10 仓库库存编号：296-24258-1-ND 别名：296-24258-1 <br>	无铅	搜索

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书	操作
CSD23201W10	1710777	TEXAS INSTRUMENTS 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, 600 mV (EN)	搜索
CSD23201W10	1710777RL	TEXAS INSTRUMENTS 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, 600 mV (EN)	搜索

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CSD23201W10
制造商型号： CSD23201W10
制造商： Texas Instruments
描述： MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
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由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

详细参数

产品培训模块：	NexFET MOSFET Technology
产品目录绘图：	CSD2320 Series P-Channel
标准包装：	1
系列：	NexFET™
FET 型：	MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) ：	12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ：	2.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ：	82 毫欧 @ 500mA, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：	1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ：	2.4nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：	325pF @ 6V
功率 - 最大：	1W
安装类型：	表面贴装
封装/外壳：	4-UFBGA, DSBGA
供应商设备封装：	4-DSBGA (1.3x1.3)
包装：	剪切带 (CT)

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