产品培训模块 : | NexFET MOSFET Technology |
标准包装 : | 1 |
系列 : | NexFET™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 65A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 12.2 毫欧 @ 11A, 8V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 3.4nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 506pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 3W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SOIC (0.236", 6.00mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-SON (5x6) |
包装 : | 剪切带 (CT) |