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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD17308Q3T [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD17308Q3 [更多] | Texas Instruments | MOSFET, N CH, 30V, 47A, 8SON
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CSD17308Q3 [更多] | Texas Instruments |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD17308Q3 [更多] | Texas Instruments | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 47A I(D), 30V, 0.0165OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
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![]() | Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 47A 8SON 详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),44A(Tc) 2.7W(Ta) 8-VSON(3.3x3.3) 型号:CSD17308Q3 仓库库存编号:296-27210-1-ND 别名:296-27210-1 <br> | 含铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: CSD17308Q3 品牌: Texas Instruments 库存编号: 827-4836 | 搜索 |
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产品培训模块 : | NexFET MOSFET Technology |
标准包装 : | 1 |
系列 : | NexFET™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 47A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 10.3 毫欧 @ 10A, 8V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1.8V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 5.1nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 700pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 2.7W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-TDFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装 : | 8-SON |
包装 : | 剪切带 (CT) |