标准包装 : | 1 |
系列 : | NexFET™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 25V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 100A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 1.15 毫欧 @ 40A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1.9V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 29nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 4100pF @ 12.5V |
功率 - 最大 : | 3.2W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-TDFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装 : | 8-SON-EP (5x6) |
包装 : | 剪切带 (CT) |