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 | Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-SON-EP（3x3） 型号：CSD16323Q3C 仓库库存编号：296-28096-1-ND 别名：296-28096-1 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 产品培训模块 ： | NexFET MOSFET Technology |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | NexFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 4.5 毫欧 @ 24A, 8V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 8.4nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1300pF @ 12.5V |
| 功率 - 最大 ： | 3W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 ： | 8-SON 裸露焊盘 (3x3) |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
