PDF查询| 标准包装 ： | 3 |
| 系列 ： | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型 ： | 沟道 |
| 配置 ： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） ： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开） ： | 2.4V @ 15V, 50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） ： | 50A |
| 电流 - 集电极截止（最大） ： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies) ： | 20nF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 320W |
| 输入 ： | 标准型 |
| NTC 热敏电阻 ： | 无 |
| 安装类型 ： | 底座安装 |
| 封装/外壳 ： | 模块 |
| 供应商设备封装 ： | 模块 |
