PDF查询| 标准包装 ： | 2 |
| 系列 ： | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型 ： | - |
| 配置 ： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） ： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开） ： | 3V @ 15V, 200A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） ： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大） ： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies) ： | 17.6nF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 650W |
| 输入 ： | 标准型 |
| NTC 热敏电阻 ： | 无 |
| 安装类型 ： | 底座安装 |
| 封装/外壳 ： | 模块 |
| 供应商设备封装 ： | 模块 |
