标准包装 : | 2 |
系列 : | IGBTMOD™ |
IGBT 类型 : | 沟道 |
配置 : | 半桥 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : | 1200V |
Vge, Ic时的最大Vce(开) : | 2.4V @ 15V, 100A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : | 100A |
电流 - 集电极截止(最大) : | 1mA |
Vce 时的输入电容 (Cies) : | 39nF @ 10V |
功率 - 最大 : | 500W |
输入 : | 标准型 |
NTC 热敏电阻 : | 无 |
安装类型 : | 底座安装 |
封装/外壳 : | 模块 |
供应商设备封装 : | 模块 |