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分离式半导体 - 单二极管/齐纳 - NXP Semiconductors - BZX884-B33,315 - DIODE ZENER 250MW 33V SOD882
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BZX884-B33,315 NXP Semiconductors DIODE ZENER 250MW 33V SOD882 查看库存、价格及货期
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Nexperia USA Inc. - BZX884-B33,315 - DIODE ZENER 33V 250MW SOD882
Nexperia USA Inc.
DIODE ZENER 33V 250MW SOD882

详细描述:Zener Diode 33V 250mW ±2% Surface Mount DFN1006-2

型号:BZX884-B33,315
仓库库存编号:1727-5628-1-ND
别名:1727-5628-1
568-7117-1
568-7117-1-ND
无铅
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无图BZX884-B33 315
NXP Semiconductors
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
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BZX884-B33,315|NXP SemiconductorsBZX884-B33,315
NXP Semiconductors
DIODE ZENER 33V 250MW SOD882
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无图BZX884-B33315
NXP
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BZX884-B33,315|NXP Semiconductors
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BZX884-B33,315
制造商型号: BZX884-B33,315
制造商: NXP Semiconductors
描述: DIODE ZENER 250MW 33V SOD882
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
电压 - 齐纳(标称)(Vz) : 33V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) : 900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电 : 50nA @ 23.1V
容差 : ±2%
功率 - 最大 : 250mW
阻抗(最大)(Zzt) : 80 欧姆
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : SOD-882
供应商设备封装 : SOD-882
包装 : 剪切带 (CT)
工作温度 : -65°C ~ 150°C

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: BZX884-B33,315
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