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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Infineon Technologies - BSZ100N03LS G - MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
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  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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BSZ100N03LSGATMA1
库存编号:BSZ100N03LSGATMA1DKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON0
1起订		1+
￥14.33
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BSZ100N03LSGATMA1
库存编号:BSZ100N03LSGATMA1TR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON0
5000起订		5000+
10000+
￥3.43
￥3.2
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BSZ100N03LSGATMA1
库存编号:BSZ100N03LSGATMA1CT-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON0
1起订		1+
￥14.33
6-10天询价 询价
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  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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BSZ100N03LSGATMA1
库存编号:BSZ100N03LSGATMA1		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSZ100N03LSGATMA1)35000
1起订		1-2周询价 询价
  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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BSZ100N03LSGATMA1
库存编号:BSZ100N03LSGATMA1		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 36A, 30W, PG-TSDSON-80
1起订		1+
25+
100+
250+
1000+
￥10.27
￥5.18
￥4.16
￥3.62
￥3.38
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  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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(工作日)		 操作
BSZ100N03LS G Infineon Technologies AG  
80
1起订		1+
8+
37+
￥12.81
￥10.25
￥7.69
1-3周购买 购买
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参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
BSZ100N03LSGATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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BSZ100N03LSGATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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BSZ100N03LSGATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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BSZ100N03LS G
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

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BSZ100N03LS G
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

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BSZ100N03LSGATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFETs

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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BSZ100N03LSGATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSZ100N03LSGATMA1)

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BSZ100N03LSGATMA1
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Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

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BSZ100N03LSGATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

RoHS: Compliant

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BSZ100N03LSGATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

RoHS: Compliant

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BSZ100N03LSGATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 30 V 10 mOhm 13 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-8

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

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BSZ100N03LSGATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 30 V 10 mOhm 13 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-8

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

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BSZ100N03LSG
[更多]		 Infineon Technologies AG  

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型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
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BSZ100N03LS G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 查看库存、价格及货期
  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - BSZ100N03LSG - Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
制造商零件编号：
BSZ100N03LSG
品牌：
Infineon
库存编号：
827-5142
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  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
BSZ100N03LS G|INFINEONBSZ100N03LS G
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 40A 30V PG-TSDSON-8
Rohs

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无图BSZ100N03LSG
Infineon Technologies		原厂原装货
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无图BSZ100N03LSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG		Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
暂无PDF 		查价格库存
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无图BSZ100N03LSGXT
Infineon Technologies		原厂原装货
暂无PDF 		查价格库存
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  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
BSZ100N03LS G|INFINEONBSZ100N03LS G
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 40A 30V PG-TSDSON-8
Rohs

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BSZ100N03LS G|Infineon TechnologiesBSZ100N03LS G
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
BSZ100N03LS G|Infineon TechnologiesBSZ100N03LS G
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Rohs

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BSZ100N03LS G|Infineon Technologies
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BSZ100N03LS G
制造商型号： BSZ100N03LS G
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
详细参数
产品目录绘图 ： Mosfets TDSON-8
标准包装 ： 1
系列 ： OptiMOS™
FET 型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 ： 逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： 10 毫欧 @ 20A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) ： 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 40A
Id 时的 Vgs(th)（最大） ： 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ： 17nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 1500pF @ 15V
功率 - 最大 ： 30W
安装类型 ： 表面贴装
封装/外壳 ： 8-PowerTDFN
供应商设备封装 ： PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
包装 ： 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: BSZ100N03LS G
旗下站点www.szcwdz.cn相关详细信息: BSZ100N03LS G
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