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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Infineon Technologies - BSZ018NE2LS - MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Infineon Technologies - BSZ018NE2LS - MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL

型号:BSZ018NE2LS
仓库库存编号:BSZ018NE2LSCT-ND
别名:BSZ018NE2LSCT <br>

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Infineon Technologies - BSZ018NE2LSI - MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL

型号:BSZ018NE2LSI
仓库库存编号:BSZ018NE2LSICT-ND
别名:BSZ018NE2LSICT <br>

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BSZ018NE2LS|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSZ018NE2LS
制造商型号: BSZ018NE2LS
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 5,000
系列 : OptiMOS™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 1.8 毫欧 @ 30A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 39nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 2800pF @ 12V
功率 - 最大 : 2.1W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-PowerTDFN
供应商设备封装 : PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
包装 : 带卷 (TR)

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