型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSZ018NE2LS [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS RoHS: Compliant | 搜索 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSZ018NE2LSATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
BSZ018NE2LSI [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
BSZ018NE2LSIATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSZ018NE2LSIXT [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP - Tape and Reel (Alt: BSZ018NE2LSIATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
BSZ018NE2LS [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP (Alt: BSZ018NE2LS) RoHS: Compliant | 搜索 |
BSZ018NE2LSATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSZ018NE2LSATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
BSZ018NE2LSATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON T/R (Alt: BSZ018NE2LSATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
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BSZ018NE2LSIATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON T/R (Alt: BSZ018NE2LSIATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSZ018NE2LSATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ018NE2LSI [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSZ018NE2LSIATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 25V, 40A, TSDSON-8
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSZ018NE2LSATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 25 V 1.8 mOhm 39 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-8 RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
BSZ018NE2LSIATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 25 V 1.8 mOhm 36 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-8 RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSZ018NE2LS [更多] | Infineon Technologies AG |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL 型号:BSZ018NE2LS 仓库库存编号:BSZ018NE2LSCT-ND 别名:BSZ018NE2LSCT <br> | 无铅 | 搜索 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL 型号:BSZ018NE2LSI 仓库库存编号:BSZ018NE2LSICT-ND 别名:BSZ018NE2LSICT <br> | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 5,000 |
系列 : | OptiMOS™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 25V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 23A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 1.8 毫欧 @ 30A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 39nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 2800pF @ 12V |
功率 - 最大 : | 2.1W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-PowerTDFN |
供应商设备封装 : | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
包装 : | 带卷 (TR) |