标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 50V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 130mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 10 欧姆 @ 100mA, 5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | - |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 45pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 300mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商设备封装 : | SOT-23-3 |
包装 : | 剪切带 (CT) |