标准包装 : | 10,000 |
系列 : | SIPMOS® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 280mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 3.5 欧姆 @ 220mA, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1.4V @ 26µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 1.5nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 43pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 500mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | SC-70, SOT-323 |
供应商设备封装 : | PG-SOT323-3 |
包装 : | 带卷 (TR) |