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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Diodes Inc - BSS123-7 - MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
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BSS123-7|Diodes Inc
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BSS123-7
制造商型号: BSS123-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 170mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 6 欧姆 @ 170mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : -
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 60pF @ 25V
功率 - 最大 : 300mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 : SOT-23-3
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: BSS123-7
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