标准包装 : | 1,000 |
系列 : | SIPMOS® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 2.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 120 毫欧 @ 2.9A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 20µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 12nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 340pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 1.8W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-261-4, TO-261AA |
供应商设备封装 : | PG-SOT223-4 |
包装 : | 带卷 (TR) |