| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| BSP135 E6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4 型号：BSP135 E6906 仓库库存编号：BSP135 E6906-ND 别名：BSP135E6906T <br>SP000055417 <br> |  | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 1,000 |
| 系列 ： | SIPMOS® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 45 欧姆 @ 120mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 94µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 4.9nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 146pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1.8W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商设备封装 ： | PG-SOT223-4 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
