产品目录绘图 : | Mosfets SOT-223 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | SIPMOS® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 耗尽模式 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 240V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 350mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 6 欧姆 @ 350mA, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1V @ 108µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 5.7nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 108pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 1.8W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-261-4, TO-261AA |
供应商设备封装 : | PG-SOT223-4 |
包装 : | 剪切带 (CT) |