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分离式半导体 - MOSFET - 单 - NXP Semiconductors - BSP100,135 - MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223
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BSP100,135|NXP Semiconductors
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BSP100,135
制造商型号: BSP100,135
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1
系列 : TrenchMOS™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 3.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 100 毫欧 @ 2.2A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.8V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 6nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 250pF @ 20V
功率 - 最大 : 8.3W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-261-4, TO-261AA
供应商设备封装 : SC-73
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: BSP100,135
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