PDF查询| 其它图纸 ： | SO-8 Dual |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | SIPMOS® |
| FET 型 ： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 110 毫欧 @ 3.1A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 3.1A, 2A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 20µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 22.5nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装 ： | PG-DSO-8 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
