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分离式半导体 - MOSFET - 单 - NXP Semiconductors - BSH201,215 - MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23
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MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23

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MOSFET TAPE7 MOSFET

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R - Tape and Reel (Alt: BSH201,215)

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R - Cut TR (SOS) (Alt: BSH201,215/BKN)

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Single P-Channel 60 V 4.25 Ohm 3 nC 0.417 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23

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Single P-Channel 60 V 4.25 Ohm 3 nC 0.417 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23

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Single P-Channel 60 V 4.25 Ohm 3 nC 0.417 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23

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NXP Semiconductors

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: P Power dissipation: 417 mW

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Transistor: P-MOSFET, unipolar, logic level, -60V, -0.19A, 170mW

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BSH201,215
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NXP Semiconductors

300 MA, 60 V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET

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300 MA, 60 V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET

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无图BSH201 215
NXP Semiconductors
MOSFET TAPE7 MOSFET
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BSH201,215|NXPBSH201,215
NXP
BSH 系列 -60 V 2.5 Ω 417 mW P沟道 增强模式 MOS 晶体管 - SOT-23
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BSH201215|NXPBSH201215
NXP
场效应管 MOSFET P沟道 60V 300mA SOT-23
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BSH201,215|NXPBSH201,215
NXP
BSH 系列 -60 V 2.5 Ω 417 mW P沟道 增强模式 MOS 晶体管 - SOT-23
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BSH201,215|NXP SemiconductorsBSH201,215
NXP Semiconductors
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23
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BSH201215|NXPBSH201215
NXP
场效应管 MOSFET P沟道 60V 300mA SOT-23
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BSH201,215|NXP SemiconductorsBSH201,215
NXP Semiconductors
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23
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Nexperia USA Inc. - BSH201,215 - MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23

详细描述:表面贴装 P 沟道 300mA(Ta) 417mW(Ta) TO-236AB(SOT23)

型号:BSH201,215
仓库库存编号:1727-4926-1-ND
别名:1727-4926-1 <br>568-6217-1 <br>568-6217-1-ND <br>

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
BSH201,215
NEXPERIA BSH201,215
1758073

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, P沟道, -160 mA, -60 V, 2.1 ohm, -10 V, -1.9 V

(EN)
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BSH201,215
NEXPERIA BSH201,215
1758073RL

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, P沟道, -160 mA, -60 V, 2.1 ohm, -10 V, -1.9 V

(EN)
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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

NXP - BSH201,215 - MOSFET P, 60 V 0.3 A 417 mW SOT-23, BSH201,215, NXP
NXP
MOSFET P, 60 V 0.3 A 417 mW SOT-23, BSH201,215, NXP


型号:BSH201,215
仓库库存编号:300-57-567

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Nexperia - BSH201,215 - Nexperia Si P沟道 MOSFET BSH201,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装

制造商零件编号:
BSH201,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8348
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BSH201,215|NXP Semiconductors
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSH201,215
制造商型号: BSH201,215
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 2.5 欧姆 @ 160mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1.9V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 3nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 70pF @ 48V
功率 - 最大 : 417mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 : TO-236AB
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: BSH201,215
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