PDF查询| 产品目录绘图 ： | Mosfet SOT-363 Dual |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 350 毫欧 @ 950mA, 4.5V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 950mA, 530mA |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.2V @ 1.6µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 0.34nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 47pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 500mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商设备封装 ： | PG-SOT363-6 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
