| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BSC883N03MS G [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 30V 19A TDSON-8 RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BSC883N03MSG [更多] | Infineon Technologies AG |
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| BSC883N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | BSC883N03MS G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8  | 查价格库存 查看详细 |
 | BSC883N03MSG Infineon | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | BSC883N03MS G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| BSC883N03MS G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 标准包装 ： | 5,000 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 98A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 3.8 毫欧 @ 30A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 55nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 4300pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 57W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 ： | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
