| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BSC0902NSIATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| BSC0902NSI [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS RoHS: Compliant | 搜索 |
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| BSC0902NSI [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BSC0902NSIATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R (Alt: BSC0902NSI) RoHS: Compliant | 搜索 |
| BSC0902NSIATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R - Tape and Reel (Alt: BSC0902NSIATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| BSC0902NSIATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R (Alt: BSC0902NSIATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| BSC0902NSI [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP
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| BSC0902NSIATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 30V, 100A, TDSON-8
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| BSC0902NSIATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 30V, 100A, TDSON-8
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| BSC0902NSIATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 89A, 48W, PG-TDSON-8, OptiMOS?
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| BSC0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8 型号：BSC0902NSI 仓库库存编号：BSC0902NSICT-ND 别名：BSC0902NSICT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 2.8 毫欧 @ 30A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 100A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 10mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 4nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1500pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 48W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 ： | PG-TDSON-8 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
