产品目录绘图 : | Mosfets TDSON-8 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | OptiMOS™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 2.6 毫欧 @ 50A, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 100A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1.2V @ 200µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 52.7nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 7800pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 78W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-PowerTDFN |
供应商设备封装 : | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
包装 : | 剪切带 (CT) |