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| BSB017N03LX3 G [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 30V 147A CanPAK3 MX OptiMOS 3 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| BSB017N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），147A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M? 型号：BSB017N03LX3 G 仓库库存编号：BSB017N03LX3 GCT-ND 别名：BSB017N03LX3 GCT <br> | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 5,000 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 147A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 1.7 毫欧 @ 30A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 102nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 7800pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 57W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | MG-WDSON-2 |
| 供应商设备封装 ： | PG-MG-WDSON-2 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
