型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
BSB015N04NX3GXUMA1 库存编号:BSB015N04NX3GXUMA1TR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON | 0 起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
BSB015N04NX3GXUMA1 库存编号:BSB015N04NX3GXUMA1CT-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON | 0 起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
BSB015N04NX3GXUMA1 库存编号:BSB015N04NX3GXUMA1DKR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON | 0 1起订 | 1+ | ¥36.25 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSB015N04NX3GXUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
BSB015N04NX3GXUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
BSB015N04NX3GXUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSB015N04NX3 G [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3 RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSB015N04NX3 G [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSB015N04NX3G [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin WDSON-2 T/R (Alt: BSB015N04NX3 G) RoHS: Compliant | 搜索 |
BSB015N04NX3GXUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin WDSON-2 T/R - Tape and Reel (Alt: BSB015N04NX3GXUMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSB015N04NX3 G [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSB015N04NX3GXUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 40V, 180A, WDSON
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSB015N04NX3GXUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 40 V 1.5 mOhm 107 nC OptiMOS? Power Mosfet - MG-WDSON-2 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSB015N04NX3GXUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG |
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
BSB015N04NX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | BSB015N04NX3 G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | BSB015N04NX3 G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
![]() | BSB015N04NX3G Infineon | Trans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M? 型号:BSB015N04NX3 G 仓库库存编号:BSB015N04NX3 GCT-ND 别名:BSB015N04NX3 GCT <br> | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 5,000 |
系列 : | OptiMOS™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 180A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 1.5 毫欧 @ 30A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 142nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 12000pF @ 20V |
功率 - 最大 : | 89W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | MG-WDSON-2 |
供应商设备封装 : | PG-MG-WDSON-2 |
包装 : | 带卷 (TR) |