标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 250mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 8 欧姆 @ 100mA, 2.8V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | - |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 150pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 350mW |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线 |
供应商设备封装 : | TO-92-3 |
包装 : | 剪切带 (CT) |