| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| BS107ARL1 库存编号:BS107ARL1-ND | onsemi | MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 | 0 4000起订 | 4000+ | ￥1.66 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| BS107ARL1G 库存编号:BS107ARL1GOSTR-ND | onsemi | MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 | 0 4000起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
| BS107ARL1G 库存编号:BS107ARL1GOSCT-ND | onsemi | MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 | 0 4000起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BS107ARL1G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET, N-Ch, VDSS 200VDC, RDS(ON) 14 Ohms, ID 250mA, TO-92 (TO-226), PD 350mW, -55degc RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| BS107ARL1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Ta） 350mW（Ta） TO-92-3 型号：BS107ARL1 仓库库存编号：BS107ARL1-ND |  | 搜索 |
| ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Ta） 350mW（Ta） TO-92-3 型号：BS107ARL1G 仓库库存编号：BS107ARL1GOSCT-ND 别名：BS107ARL1G-ND <br>BS107ARL1GOSCT <br> | | 搜索 |
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 | ON Semiconductor MOSFET; N-Ch; VDSS 200VDC; RDS(ON) 14 Ohms; ID 250mA; TO-92 (TO-226); PD 350mW; -55degc 型号：BS107ARL1G 仓库库存编号：70100375 |  | 搜索 |
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 | BS107ARL1 ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 | 查价格库存 查看详细 |
| BS107ARL1G ON SEMICONDUCTOR | 场效应管 MOSFET N沟道 200V 250mA TO-92 | 查价格库存 查看详细 |
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 | BS107ARL1 ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 | 查价格库存 查看详细 |
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| BS107ARL1 ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 产品变化通告 ： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装 ： | 2,000 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 6.4 欧姆 @ 250mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | - |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 60pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 350mW |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线 |
| 供应商设备封装 ： | TO-92-3 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
