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集成电路 (IC) - 存储器 - Texas Instruments - BQ4010YMA-200 - IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
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BQ4010YMA-200
库存编号:2156-BQ4010YMA-200-TI-ND		 Rochester Electronics LLC IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP2142
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BQ4010YMA-200
库存编号:BQ4010YMA-200-ND		 Texas Instruments IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP0
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NVRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM

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NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin DIP Module

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NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module

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BQ4010YMA-200
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NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module

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NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module

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BQ4010YMA-200|Texas InstrumentsBQ4010YMA-200
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BQ4010YMA-200|Texas InstrumentsBQ4010YMA-200
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Texas Instruments - BQ4010YMA-200 - IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP		Texas Instruments
IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 200ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）

型号：BQ4010YMA-200
仓库库存编号：BQ4010YMA-200-ND
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BQ4010YMA-200|Texas Instruments
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BQ4010YMA-200
制造商型号： BQ4010YMA-200
制造商： Texas Instruments
描述： IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 ： 14
系列 ： -
格式 - 存储器 ： RAM
存储器类型 ： NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量 ： 64K (8K x 8)
速度 ： 200ns
接口 ： Parallel (Byte-wide)
电源电压 ： 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度 ： 0°C ~ 70°C
封装/外壳 ： 28-DIP 模块 (0.600", 15.24mm)
供应商设备封装 ： 28-DIP 模块
包装 ： 管件

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