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分离式半导体 - RF FET - Infineon Technologies - BG 5412K H6327 - MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
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BG 5412K H6327|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BG 5412K H6327
制造商型号: BG 5412K H6327
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 3,000
系列 : -
晶体管类型 : 2 N-通道(双)
频率 : 800MHz
增益 : 24dB
电压 - 测试 : 5V
额定电流 : 25mA
噪音数据 : 1.1dB
电流 - 测试 : 10mA
功率 - 输出 : -
额定电压 : 8V
封装/外壳 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装 : PG-SOT363-6
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: BG 5412K H6327
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