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分离式半导体 - JFET 结点场效应 - ON Semiconductor - BFR31LT1G - TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23
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BFR31LT1G|ON Semiconductor
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BFR31LT1G
制造商型号: BFR31LT1G
制造商: ON Semiconductor
描述: TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品变化通告 : Product Discontinuation 21/Jun/2007
标准包装 : 3,000
系列 : -
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) : 1mA @ 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 25V
漏极电流 (Id) - 最大 : -
FET 型 : N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) : -
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id : 2.5V @ 0.5nA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 5pF @ 10V
电阻 - RDS(开) : -
安装类型 : 表面贴装
包装 : 带卷 (TR)
封装/外壳 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 : SOT-23-3
功率 - 最大 : 225mW

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: BFR31LT1G
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