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分离式半导体 - RF 晶体管 (BJT) - Infineon Technologies - BFR 193W E6327 - TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323
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BFR 193W E6327
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Infineon Technologies AG

RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR

RoHS: Compliant

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BFR193WE6327
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Infineon Technologies AG  

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BFR193WE-6327
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Siemens

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BFR 193W E6327|Infineon TechnologiesBFR 193W E6327
Infineon Technologies
TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323
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无图BFR193WE6327
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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BFR 193W E6327|Infineon TechnologiesBFR 193W E6327
Infineon Technologies
TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323
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Infineon Technologies - BFR 193W E6327 - TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323
Infineon Technologies
TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323

详细描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT323-3

型号:BFR 193W E6327
仓库库存编号:BFR193WE6327INCT-ND
别名:BFR193WE6327INCT <br>

无铅
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BFR 193W E6327|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BFR 193W E6327
制造商型号: BFR 193W E6327
制造商: Infineon Technologies
描述: TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323
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备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
晶体管类型 : NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 12V
频率 - 转换 : 8GHz
噪声系数(dB典型值@频率) : 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益 : 10.5dB ~ 16dB
功率 - 最大 : 580mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : 70 @ 30mA, 8V
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 80mA
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : SC-70, SOT-323
供应商设备封装 : PG-SOT323-3
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: BFR 193W E6327
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