型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
BCR 148S H6827 | Infineon Technologies | TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6 型号:BCR 148S H6827 仓库库存编号:BCR 148S H6827-ND 别名:SP000756266 <br> | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 3,000 |
系列 : | - |
晶体管类型 : | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) : | 47K |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) : | 47K |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : | 70 @ 5mA, 5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : | 300mV @ 500µA, 10mA |
电流 - 集电极截止(最大) : | - |
频率 - 转换 : | 100MHz |
功率 - 最大 : | 250mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
供应商设备封装 : | PG-SOT363-6 |
包装 : | 带卷 (TR) |