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半导体模块 - IGBT - Microsemi Power Products Group - APTGT50TL601G - POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1
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APTGT50TL601G Microchip Technology Inc IGBT MODULE 600V 80A 176W SP11
1起订
1+
25+
¥861.03
¥717.53
6-10天购买 购买
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  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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货期
(工作日)
操作
APTGT50TL601G Microchip Technology Inc IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP10
16起订
16+
25+
¥816.88
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6-10天询价 询价
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APTGT50TL601G Microchip Technology Inc  
RoHS: Compliant
0
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4+
8+
12+
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¥1184.84
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APTGT50TL601G Microchip Technology Inc Trans IGBT Module N-CH 600V 80A 12-Pin Case SP1 - Rail/Tube (Alt: APTGT50TL601G)0
16起订
16+
20+
40+
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160+
¥745.86
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APTGT50TL601G Microchip Technology Inc DOR CC8047, Projected EOL: 2044-04-300
1起订
1+
50+
100+
250+
500+
1000+
5000+
¥949.34
¥734.12
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APTGT50TL601G Microsemi Corporation  
27
4起订
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APTGT50TL601G
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Microsemi Corporation

POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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APTGT50TL601G
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Microsemi Corporation

IGBT Modules Power Module - IGBT

RoHS: Compliant

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Microsemi Corporation - APTGT50TL601G - POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1
Microsemi Corporation
POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1

详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP1

型号:APTGT50TL601G
仓库库存编号:APTGT50TL601G-ND
别名:APTGT50TL601GMI <br>APTGT50TL601GMI-ND <br>

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APTGT50TL601G|Microsemi Power Products GroupAPTGT50TL601G
Microsemi Power Products Group
POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1
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APTGT50TL601G|Microsemi Power Products Group
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
APTGT50TL601G
制造商型号: APTGT50TL601G
制造商: Microsemi Power Products Group
描述: POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
IGBT 类型 : 沟道和场截止
配置 : 三级反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开) : 1.9V @ 15V, 50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 80A
电流 - 集电极截止(最大) : 250µA
Vce 时的输入电容 (Cies) : 3.15nF @ 25V
功率 - 最大 : 176W
输入 : 标准型
NTC 热敏电阻 :
安装类型 : 底座安装
封装/外壳 : SP1
供应商设备封装 : SP1

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