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| APT11N80KC3G [更多] | Microsemi Corporation | MOSFET Power MOSFET - CoolMOS RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 156W（Tc） TO-220 [K] 型号：APT11N80KC3G 仓库库存编号：APT11N80KC3G-ND 别名：APT11N80KC3GMI <br>APT11N80KC3GMI-ND <br> | | 搜索 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | TO-220 Front |
| 标准包装 ： | 50 |
| 系列 ： | CoolMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 450 毫欧 @ 7.1A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3.9V @ 680µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 60nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1585pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 156W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-220 [K] |
| 包装 ： | 管件 |
